Invenţia se referă la tehnologia de obţinere a nanoparticulelor de GaP în formă de pulbere sau suspensii coloidale, în special la procedee de obţinere a particulelor de GaP de dimensiuni nano. Procedeul de obţinere a suspensiei de nano-particule de GaP include dizolvarea fosfurii de sodiu în toluen, dizolvarea separată a acetilacetonatului de galiu în toluen timp de 2 ore la temperatura de 90…100°С, amestecarea soluţiilor prin agitare ultrasonică timp de 4 ore, apoi adăugarea la soluţia obţinută a trioctilfosfinoxidului. După 12 ore se separă suspensia de nanoparticule de sediment. Raportul atomar Ga:P constituie 1:(1,8…3,0). [Brevet de invenţie MD 483 din 2012.09.30.]

Caracteristici:
A fost elaborată o metodă nouă de obţinere a nanoparticulelor de GaP cu proprietăţi de luminescenţă intensă la 410 nm. Elementul inovativ al metodei elaborate constă în utilizarea acetilacetonatului de galiu în calitate de sursă a atomilor de galiu în procesul de sintetizare a nanoparticulelor de GaP. Procedeul elaborat permite obţinerea nanoparticulelor semiconductoare de fosfură de galiu pentru confecţionarea dispozitivelor emiţătoare de lumină cu eficienţă sporită.

Avantaje:
Oferă posibilitatea măsurării caracteristicilor magnetice ale probelor filiforme (atât a microconductoarelor singulare, cât şi în ansambluri de microconductoare magnetice).